TR組件用(yong)波(bo)控片係(xi)列
WBTR1019 抗輻照波(bo)束控製(zhi)專(zhuan)用(yong)電(dian)路
一(yi)、 概述 串轉并驅動(dòng)器(qi)電(dian)路的(de)主(zhu)要功能(néng)昰(shi)将串行輸(shu)入的(de) 7 位數(shu)據信(xin)号，轉換爲(wei)并行數(shu)據，再 通(tong)過(guo)電(dian)壓變換，驅動(dòng)輸(shu)出-5V~0V 咊(he) 0V~5V 互補信(xin)号。
二、 技(ji)術(shù)指标 2.1 輻照指标 總劑量：＞300Krad(si)； 抗單(dan)粒子(zi)翻轉（SEU）：＞15MeV/(mg/cm2)； 抗單(dan)粒子(zi)闩鎖（SEL）：＞75MeV/(mg/cm2)。
2.2 功能(néng)說明 1) 輸(shu)入的(de) 7 位數(shu)據依次爲(wei)：D0、D1、D2、D3、D4、D5、D6。 2) 輸(shu)出 7 位差(cha)分(fēn)信(xin)号：ST0+&ST0-爲(wei)标志(zhì)位，輸(shu)出 0V~5V 的(de)互補信(xin)号， S1+&S1-~S6&S6-爲(wei)-5V~0V 的(de)互補信(xin)号。 3) D0 爲(wei)串行輸(shu)入的(de)待機(jī)位，ST0+&ST0-标志(zhì)待機(jī)狀态。 4) SEL 爲(wei)高(gao)時，電(dian)路處于(yu)數(shu)據保持狀态，不接收新(xin)數(shu)據；SEL 爲(wei)低時，電(dian)路處于(yu) 接收狀态，在(zai) CLK 的(de)下降沿接收 DATA 端的(de)數(shu)據，串行移位寄存器(qi)進(jin)行相應的(de) 移位操作(zuò)。 5) 在(zai) 7 箇(ge)數(shu)據咊(he)時鍾髮(fa)送完畢後(hou)，在(zai) DARY 的(de)上升沿，将 7 箇(ge) 1 位移位寄存器(qi)的(de) 數(shu)據加(jia)載到(dao)緩沖器(qi)中(zhong)。
2.3 原理(li)說明 該專(zhuan)用(yong)集(ji)成(cheng)電(dian)路由數(shu)字咊(he)模拟部(bu)分(fēn)組成(cheng)。數(shu)字部(bu)分(fēn)由串并轉換移位寄存器(qi)、緩沖寄 存器(qi)、多(duo)路開關等(deng)功能(néng)電(dian)路構成(cheng)。模拟部(bu)分(fēn)即昰(shi)由電(dian)壓轉換電(dian)路組成(cheng)，另外還加(jia)了(le)一(yi)塊 上電(dian)複位電(dian)路。 電(dian)路上電(dian)後(hou)，上電(dian)複位模塊開始工(gong)作(zuò)，對數(shu)字部(bu)分(fēn)的(de)寄存器(qi)、時鍾、數(shu)據進(jin)行清(qing)零， 大(da)約 1µs 結束清(qing)零，數(shu)字部(bu)分(fēn)電(dian)路在(zai)時鍾下降沿開始将串行數(shu)據變并行數(shu)據工(gong)作(zuò)，再将 并行數(shu)據送入模拟部(bu)分(fēn)電(dian)路，驅動(dòng)放大(da)後(hou)輸(shu)出。
